- Модель продукта IPD30N10S3L34ATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:37024
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 31mOhm @ 30A, 10V
- Материал феррулы 57W (Tc)
- Барьерный тип 2.4V @ 29µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO252-3-11
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 31 nC @ 10 V
- 1976 pF @ 25 V