- Модель продукта IPB180N10S403ATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2655
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 180A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 3.3mOhm @ 100A, 10V
- Материал феррулы 250W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 180µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-3
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 140 nC @ 10 V
- 10120 pF @ 25 V
- AEC-Q101
Сопутствующие товары
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Инвентаризация: 909
MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Инвентаризация: 8801
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Инвентаризация: 1508
MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Инвентаризация: 4862
