Инвентаризация:13541

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 1W
  • Внутренняя отделка контактов 25V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 11A, 31A
  • Глубина 4500pF @ 12V
  • Сопротивление при 25°C 4.6mOhm @ 25A, 10V
  • Тип симистора 6.6nC @ 4.5V
  • Тип подключения Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • Барьерный тип 2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TISON-8

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 18.5A/49A 8DFN

Инвентаризация: 17861

MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8

Инвентаризация: 7365

Top