- Модель продукта IPD530N15N3GATMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 21A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 53mOhm @ 18A, 10V
- Материал феррулы 68W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 35µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO252-3
- Длина ремня 8V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 150 V
- 12 nC @ 10 V
- 887 pF @ 75 V
Сопутствующие товары
MOSFET N CH 150V 18A DPAK
Инвентаризация: 3765
MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Инвентаризация: 7748
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
Инвентаризация: 3686
MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Инвентаризация: 6279
MOSFET N-CH 150V 24A DPAK
Инвентаризация: 734
MOSFET N-CH 150V 25A DPAK
Инвентаризация: 3290
