Инвентаризация:69891

Технические детали

  • Тип монтажа 6-WDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 2.3W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 5A
  • Глубина 353pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 32.4mOhm @ 4A, 10V
  • Тип симистора 6nC @ 10V
  • Барьерный тип 2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 6-WSON (2x2)

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR

Инвентаризация: 53115

MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON

Инвентаризация: 17160

MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON

Инвентаризация: 13079

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN

Инвентаризация: 108723

GANFET N-CH 100V 500MA DIE

Инвентаризация: 82458

Top