Инвентаризация:14952

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 11.5A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 12mOhm @ 11.5A, 10V
  • Материал феррулы 3.1W (Ta)
  • Барьерный тип 2.4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 50 nC @ 10 V
  • 2420 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC

Инвентаризация: 39003

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

Инвентаризация: 3000

MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC

Инвентаризация: 5994

MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA

Инвентаризация: 2887

MOSFET P-CH 200V 35MA SOT23-3

Инвентаризация: 51524

Top