Технические детали

• Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Смываемый 1.38W
• Внутренняя отделка контактов 30V
• Толщина внешнего контактного покрытия 5.5A, 4.1A
• Глубина 960pF @ 25V
• Сопротивление при 25°C 33mOhm @ 5A, 10V
• Тип симистора 10nC @ 4.5V
• Барьерный тип 3V @ 250µA
• Максимальное переменное напряжение 8-SO