Инвентаризация:2929

Технические детали

  • Тип монтажа Die
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 90A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 2.2mOhm @ 31A, 5V
  • Барьерный тип 2.5V @ 16mA
  • Максимальное переменное напряжение Die
  • Длина ремня 5V
  • Шаг Количество +6V, -4V
  • 60 V
  • 16 nC @ 5 V
  • 1780 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


GANFET N-CH 150V 48A DIE

Инвентаризация: 5655

TRANSISTOR GAN 40V .001OHM

Инвентаризация: 7559

Top