Технические детали

• Тип монтажа DirectFET™ Isometric ME
• Количество витков Surface Mount
• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
• Внешнее покрытие контактов N-Channel
• Толщина внешнего контактного покрытия 209A (Tc)
• Сопротивление при 25°C 1.25mOhm @ 123A, 10V
• Материал феррулы 104W (Tc)
• Барьерный тип 2.5V @ 150µA
• Максимальное переменное напряжение DirectFET™ Isometric ME
• Длина ремня 4.5V, 10V
• Шаг Количество ±20V
• 40 V
• 111 nC @ 4.5 V
• 6904 pF @ 25 V