Инвентаризация:4635

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 7.7A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 25mOhm @ 5A, 10V
  • Материал феррулы 1W (Ta)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение POWERDI3333-8
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 53.1 nC @ 10 V
  • 2569 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8

Инвентаризация: 9586

MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8

Инвентаризация: 32714

MOSFET 2N-CH 70V 11.7A 8PWRPAIR

Инвентаризация: 900

Top