- Модель продукта RS1G260MNTB
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3796
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 26A (Ta), 80A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 3.3mOhm @ 26A, 10V
- Материал феррулы 3W (Ta), 35W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение 8-HSOP
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 40 V
- 44 nC @ 10 V
- 2988 pF @ 20 V