- Модель продукта RQ3G100GNTB
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:112198
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 10A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 14.3mOhm @ 10A, 10V
- Материал феррулы 2W (Ta)
- Барьерный тип 2.5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение 8-HSMT (3.2x3)
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 40 V
- 8.4 nC @ 10 V
- 615 pF @ 20 V