Инвентаризация:8276

Технические детали

  • Тип монтажа Die
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 90A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 2.5mOhm @ 29A, 5V
  • Барьерный тип 2.5V @ 14mA
  • Максимальное переменное напряжение Die
  • Длина ремня 5V
  • Шаг Количество +6V, -4V
  • 80 V
  • 15 nC @ 5 V
  • 1650 pF @ 40 V

Сопутствующие товары


GANFET N-CH 60V 90A DIE

Инвентаризация: 1429

GANFET N-CH 200V 48A DIE

Инвентаризация: 12891

TRANS GAN 100V DIE .0018OHM

Инвентаризация: 49640

Top