- Модель продукта RQ3E080GNTB
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3859
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 8A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 16.7mOhm @ 8A, 10V
- Материал феррулы 2W (Ta), 15W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение 8-HSMT (3.2x3)
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 5.8 nC @ 10 V
- 295 pF @ 15 V