Инвентаризация:15915

Технические детали

  • Тип монтажа 3-XFDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 2.3A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 175mOhm @ 500mA, 4.5V
  • Материал феррулы 500mW (Ta)
  • Барьерный тип 1.2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 3-PICOSTAR
  • Длина ремня 1.8V, 4.5V
  • Шаг Количество -8V
  • 12 V
  • 1.14 nC @ 6 V
  • 236 pF @ 6 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR

Инвентаризация: 466590

MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR

Инвентаризация: 255557

Top