Инвентаризация:468090

Технические детали

  • Тип монтажа 3-XFDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 2.1A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 180mOhm @ 500mA, 4.5V
  • Материал феррулы 500mW (Ta)
  • Барьерный тип 1.1V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 3-PICOSTAR
  • Длина ремня 1.8V, 4.5V
  • Шаг Количество 8V
  • 12 V
  • 1.4 nC @ 4.5 V
  • 200 pF @ 6 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR

Инвентаризация: 1374

MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR

Инвентаризация: 255557

MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR

Инвентаризация: 27534

DIODE ZENER 5.6V 200MW SOD323

Инвентаризация: 156351

Top