Инвентаризация:29034

Технические детали

  • Тип монтажа 3-XFDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 2.5A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 94mOhm @ 500mA, 8V
  • Материал феррулы 500mW (Ta)
  • Барьерный тип 1.2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 3-PICOSTAR
  • Длина ремня 1.8V, 8V
  • Шаг Количество -12V
  • 20 V
  • 1.42 nC @ 4.5 V
  • 230 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR

Инвентаризация: 53115

MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR

Инвентаризация: 16391

MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR

Инвентаризация: 15012

MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA

Инвентаризация: 18598

IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 20VQFN

Инвентаризация: 10228

Top