- Модель продукта FDB024N08BL7
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 120A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 2.4mOhm @ 100A, 10V
- Материал феррулы 246W (Tc)
- Барьерный тип 4.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-263-7
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 80 V
- 178 nC @ 10 V
- 13530 pF @ 40 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON
Инвентаризация: 27796
MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7
Инвентаризация: 940
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Инвентаризация: 1676
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Инвентаризация: 960
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Инвентаризация: 2598
MOSFET N-CH 100V TO247AC
Инвентаризация: 70
