Инвентаризация:29296

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 10.6A (Ta), 71A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 12.3mOhm @ 50A, 10V
  • Материал феррулы 114W (Tc)
  • Барьерный тип 2.4V @ 72µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-1
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 68 nC @ 10 V
  • 4900 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 14A/79A TDSON

Инвентаризация: 1018

MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON

Инвентаризация: 20377

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V

Инвентаризация: 7875

IC GATE AND 4CH 2-INP 14WQFN

Инвентаризация: 2740

Top