Инвентаризация:26385

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 1.25mOhm @ 100A, 10V
  • Материал феррулы 156W (Tc)
  • Барьерный тип 3.9V @ 150µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (5x6)
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 40 V
  • 190 nC @ 10 V
  • 6560 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V

Инвентаризация: 2363

MOSFET P-CH 60V 65A DFN5*6-8L

Инвентаризация: 50000

MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN

Инвентаризация: 0

SENSOR CONDUCTIVITY ANLG CUR OUT

Инвентаризация: 2

MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK

Инвентаризация: 27308

Top