- Модель продукта FDP032N08B-F102
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:1976
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 120A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 3.3mOhm @ 100A, 10V
- Материал феррулы 263W (Tc)
- Барьерный тип 4.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220-3
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 80 V
- 144 nC @ 10 V
- 10965 pF @ 40 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 80V 150A TO220-3
Инвентаризация: 689
MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
Инвентаризация: 855
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Инвентаризация: 371
MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
Инвентаризация: 295
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Инвентаризация: 0
