- Модель продукта SIR688DP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 3.5mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 5.4W (Ta), 83W (Tc)
- Барьерный тип 2.7V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 60 V
- 66 nC @ 10 V
- 3105 pF @ 30 V
Сопутствующие товары
P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
Инвентаризация: 2363
MOSFET P-CH 60V 65A DFN5*6-8L
Инвентаризация: 50000
MOSFET N-CH 60V 14.5A/47A 8HSOP
Инвентаризация: 603
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 8395
