Инвентаризация:7400

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 122mOhm @ 3.3A, 10V
  • Материал феррулы 940mW (Ta)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение POWERDI3333-8
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 14.9 nC @ 10 V
  • 870.7 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 25A/28A 8DFN

Инвентаризация: 4921

MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333

Инвентаризация: 60281

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

Инвентаризация: 1070

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

Инвентаризация: 4289

Top