- Модель продукта HN4A51JTE85LF
- Бренд Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- Описание TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
- Классификация Биполярные транзисторные матрицы
Технические детали
- Тип монтажа SC-74A, SOT-753
- Количество витков Surface Mount
- Резистивный материал 2 PNP (Dual)
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Смываемый 300mW
- Длина - Резьбовая часть под головкой 100mA
- IGBT Тип 120V
- Толщина ленты 300mV @ 1mA, 10mA
- Входной логический уровень - Низкий 100nA (ICBO)
- Входной логический уровень - Высокий 200 @ 2mA, 6V
- Тип диода 100MHz
- Максимальное переменное напряжение SMV
Сопутствующие товары
MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
Инвентаризация: 50219
IC MULTIVIBRATOR 11NS 6DFN
Инвентаризация: 0
TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT363
Инвентаризация: 36298
TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363
Инвентаризация: 241714
MOSFET N-CH 80V 13A/84A 8PQFN
Инвентаризация: 1880
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Инвентаризация: 22296
