Инвентаризация:2955

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 9.8A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 11mOhm @ 12A, 20V
  • Материал феррулы 940mW (Ta)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение POWERDI3333-8
  • Длина ремня 4.5V, 20V
  • Шаг Количество ±25V
  • 30 V
  • 58 nC @ 10 V
  • 2987 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8

Инвентаризация: 1986

MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC

Инвентаризация: 39603

Top