Инвентаризация:5304

Технические детали

  • Тип монтажа PowerPAK® ChipFET™ Dual
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 10.4W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6A
  • Глубина 320pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 30mOhm @ 5A, 10V
  • Тип симистора 11nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK® ChipFet Dual

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563F

Инвентаризация: 3446

MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON

Инвентаризация: 6771

MOSFET 2N-CH 100V 1.2A SSOT6

Инвентаризация: 11423

MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET

Инвентаризация: 5001

IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP

Инвентаризация: 8304

Top