Инвентаризация:50328

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerSMD, Flat Leads
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 3.1W
  • Внутренняя отделка контактов 30V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6A
  • Глубина 542pF @ 15V
  • Сопротивление при 25°C 14mOhm @ 6A, 10V
  • Тип симистора 12.2nC @ 10V
  • Тип подключения Logic Level Gate
  • Барьерный тип 2.3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN (3x3)

Сопутствующие товары


IC GATE OR 2CH 2-INP DFN2010-8

Инвентаризация: 10911

MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6

Инвентаризация: 4999

MOSFET 2N-CH 100V 1.2A SSOT6

Инвентаризация: 11423

MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET

Инвентаризация: 3804

Top