- Модель продукта SIR826ADP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 5.5mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 6.25W (Ta), 104W (Tc)
- Барьерный тип 2.8V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 80 V
- 86 nC @ 10 V
- 2800 pF @ 40 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Инвентаризация: 26920
MOSFET N-CH 80V 31.8A/130A PPAK
Инвентаризация: 1190
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 6
MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK
Инвентаризация: 9976
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 2033
MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
Инвентаризация: 1441
