- Модель продукта SIR826BDP-T1-RE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:11476
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 19.8A (Ta), 80.8A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 5.1mOhm @ 15A, 10V
- Материал феррулы 5W (Ta), 83W (Tc)
- Барьерный тип 3.8V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 7.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 80 V
- 69 nC @ 10 V
- 3030 pF @ 40 V