- Модель продукта SIJ482DP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 6.2mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 5W (Ta), 69.4W (Tc)
- Барьерный тип 2.7V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 80 V
- 71 nC @ 10 V
- 2425 pF @ 40 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
Инвентаризация: 56385
MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC
Инвентаризация: 23759
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 0
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Инвентаризация: 2769
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 8692
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 2910
