Инвентаризация:11357

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4.2A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 79mOhm @ 3A, 10V
  • Материал феррулы 3.1W (Ta)
  • Барьерный тип 2.7V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 20 nC @ 10 V
  • 942 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 4A 8SOIC

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 40V 10A 8SOIC

Инвентаризация: 193571

MOSFET N-CH 100V 4.2A 8SOIC

Инвентаризация: 9857

SOP-8 MOSFETS ROHS

Инвентаризация: 2986

DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123

Инвентаризация: 609826

DIODE ZENER 8.2V 1W SMA

Инвентаризация: 128501

Top