Инвентаризация:11926

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 10A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 15mOhm @ 10A, 10V
  • Материал феррулы 1.7W (Ta)
  • Барьерный тип 2.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 40 V
  • 55 nC @ 10 V
  • 3000 pF @ 20 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC

Инвентаризация: 10426

SOP-8 MOSFETS ROHS

Инвентаризация: 2026

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3

Инвентаризация: 133208

MOSFET SOT-23 P Channel 50V

Инвентаризация: 240000

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

Инвентаризация: 118350

50V 130MA 300MW 10R@5V,100MA 2V@

Инвентаризация: 0

MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5

Инвентаризация: 39265

Top