Инвентаризация:137300

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Ta), 50A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 4.6mOhm @ 20A, 10V
  • Материал феррулы 6.2W (Ta), 83W (Tc)
  • Барьерный тип 1.2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN-EP (3.3x3.3)
  • Длина ремня 2.5V, 10V
  • Шаг Количество ±12V
  • 20 V
  • 114 nC @ 10 V
  • 4550 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 47A/85A 8DFN

Инвентаризация: 101387

MOSFET N-CH 80V 20A/50A 8DFN

Инвентаризация: 14674

MOSFET N-CH 30V 46A/50A 8DFN

Инвентаризация: 78328

MOSFET P-CH 20V 28A/50A 8DFN

Инвентаризация: 87237

MOSFET P-CH 20V 26.5A/34A 8DFN

Инвентаризация: 21782

Top