- Модель продукта FDS86140
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 11.2A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 9.8mOhm @ 11.2A, 10V
- Материал феррулы 2.5W (Ta), 5W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 41 nC @ 10 V
- 2580 pF @ 50 V