Инвентаризация:6227

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 12.2A (Ta), 18.7A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 10mOhm @ 12.2A, 10V
  • Материал феррулы 3.1W (Ta), 7.4W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 70 nC @ 10 V
  • 3570 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC

Инвентаризация: 0

Top