Инвентаризация:6240

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 13.5A (Ta), 22A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 8.2mOhm @ 13.5A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta), 69W (Tc)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-PQFN (5x6)
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 63 nC @ 10 V
  • 4615 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


DIODE ZENER 27V 3.2W POWERMITE

Инвентаризация: 2990

MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK

Инвентаризация: 428

MOSFET N-CH 40V 48A LFPAK33

Инвентаризация: 1383

MOSFET N-CH 60V 25A/80A 8PQFN

Инвентаризация: 6482

MOSFET N-CH 60V 14A/42A 8PQFN

Инвентаризация: 19376

MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC

Инвентаризация: 23380

MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3

Инвентаризация: 81298

Top