Инвентаризация:25002

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 22A (Ta), 84A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 3.2mOhm @ 30A, 10V
  • Материал феррулы 2.8W (Ta), 78W (Tc)
  • Барьерный тип 2V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-6
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 25 V
  • 16 nC @ 10 V
  • 1200 pF @ 12 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON

Инвентаризация: 18249

MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON

Инвентаризация: 18522

MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON

Инвентаризация: 25020

MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3

Инвентаризация: 42487

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

Инвентаризация: 114762

MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.22A, 50V

Инвентаризация: 57976

MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3

Инвентаризация: 169867

MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33

Инвентаризация: 11122

MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33

Инвентаризация: 49780

MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212

Инвентаризация: 13605

Top