Инвентаризация:5656

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerWDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 52mOhm @ 7A, 10V
  • Материал феррулы 3.2W (Ta), 21W (Tc)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-WDFN (3.3x3.3)
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 25 nC @ 10 V
  • 1258 pF @ 25 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8

Инвентаризация: 2969

MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN

Инвентаризация: 10105

MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN

Инвентаризация: 966

MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN

Инвентаризация: 4987

MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3

Инвентаризация: 9657

MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

Инвентаризация: 7949

MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8

Инвентаризация: 8474

Top