Инвентаризация:4469

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 155°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 7.7A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 25mOhm @ 5A, 10V
  • Материал феррулы 1W (Ta)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение POWERDI3333-8
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 60 V
  • 53.1 nC @ 10 V
  • 2569 pF @ 30 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D

Инвентаризация: 2551

MOSFET 2P-CH 20V 0.85A SOT563

Инвентаризация: 9730

MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8

Инвентаризация: 2531

MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8

Инвентаризация: 32714

MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8

Инвентаризация: 2654

P-CHANNEL MOSFET, DFN5060

Инвентаризация: 10546

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60-V (D-S)

Инвентаризация: 12908

Top