Инвентаризация:8595

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 6.8A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 63mOhm @ 4.4A, 10V
  • Материал феррулы 2.5W (Ta), 6W (Tc)
  • Барьерный тип 4.5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 6V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 100 V
  • 20 nC @ 10 V
  • 600 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


TRANS GAN 100V DIE .0018OHM

Инвентаризация: 49640

MOSFET N-CH 150V 6.7A/20A 8PQFN

Инвентаризация: 9674

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT

Инвентаризация: 2145

MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO

Инвентаризация: 30375

Top