- Модель продукта SI4100DY-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:8595
Технические детали
- Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 6.8A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 63mOhm @ 4.4A, 10V
- Материал феррулы 2.5W (Ta), 6W (Tc)
- Барьерный тип 4.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 20 nC @ 10 V
- 600 pF @ 50 V