- Модель продукта FDD86250
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4826
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 8A (Ta), 50A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 22mOhm @ 8A, 10V
- Материал феррулы 3.1W (Ta), 132W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-252AA
- Длина ремня 6V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 150 V
- 33 nC @ 10 V
- 2110 pF @ 75 V