- Модель продукта FDD86102LZ
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:21674
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 8A (Ta), 35A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 22.5mOhm @ 8A, 10V
- Материал феррулы 3.1W (Ta), 54W (Tc)
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-252AA
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 26 nC @ 10 V
- 1540 pF @ 50 V