Инвентаризация:4166

Технические детали

  • Тип монтажа 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов P-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8.8A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 12mOhm @ 11.4A, 10V
  • Материал феррулы 1.5W (Ta)
  • Барьерный тип 3V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение 8-SOIC
  • Длина ремня 4.5V, 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 30 V
  • 100 nC @ 10 V

Сопутствующие товары


DIODE ZENER 12V 500MW SOD123

Инвентаризация: 514902

MOSFET P-CH 30V 11A/40A TO252

Инвентаризация: 9299

MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6

Инвентаризация: 383105

Top