- Модель продукта FDD850N10L
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:10269
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 15.7A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 75mOhm @ 12A, 10V
- Материал феррулы 50W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-252AA
- Длина ремня 5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 28.9 nC @ 10 V
- 1465 pF @ 25 V