- Модель продукта NTD6416ANLT4G
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:8847
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 19A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 74mOhm @ 19A, 10V
- Материал феррулы 71W (Tc)
- Барьерный тип 2.2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение DPAK
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 40 nC @ 10 V
- 1000 pF @ 25 V