Инвентаризация:17864

Технические детали

  • Тип монтажа 8-VQFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 21A (Ta), 40A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 3.5mOhm @ 20A, 4.5V
  • Материал феррулы 2.7W (Ta), 37W (Tc)
  • Барьерный тип 1.1V @ 50µA
  • Максимальное переменное напряжение PQFN (3x3)
  • Длина ремня 2.5V, 10V
  • Шаг Количество ±12V
  • 30 V
  • 62 nC @ 4.5 V
  • 3170 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT36

Инвентаризация: 92479

DIODE ZENER 10V 500MW SOD123

Инвентаризация: 509098

MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP

Инвентаризация: 9973

Top