- Модель продукта RS1E220ATTB1
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:11473
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов P-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 22A (Ta), 76A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 4.1mOhm @ 22A, 10V
- Материал феррулы 3W (Ta)
- Барьерный тип 2.5V @ 2mA
- Максимальное переменное напряжение 8-HSOP
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 130 nC @ 10 V
- 5850 pF @ 15 V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Инвентаризация: 7527
P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3.
Инвентаризация: 6143
MOSFET P-CH 60V 65A TO-252
Инвентаризация: 40000
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 3762
