- Модель продукта SUD35N10-26P-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 35A TO252
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3490
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 35A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 26mOhm @ 12A, 10V
- Материал феррулы 8.3W (Ta), 83W (Tc)
- Барьерный тип 4.4V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение TO-252AA
- Длина ремня 7V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 47 nC @ 10 V
- 2000 pF @ 12 V