- Модель продукта SIS406DN-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:16371
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® 1212-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 9A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 11mOhm @ 12A, 10V
- Материал феррулы 1.5W (Ta)
- Барьерный тип 3V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® 1212-8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±25V
- 30 V
- 28 nC @ 10 V
- 1100 pF @ 15 V
Сопутствующие товары
IC FF D-TYPE SNGL 1BIT 8XSON
Инвентаризация: 28056
MOSFET P-CH 40V 6A DFN2020MD-6
Инвентаризация: 17772
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8
Инвентаризация: 9255
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Инвентаризация: 201266
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Инвентаризация: 66614
