- Модель продукта SIR882DP-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 8.7mOhm @ 20A, 10V
- Материал феррулы 5.4W (Ta), 83W (Tc)
- Барьерный тип 2.8V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 100 V
- 58 nC @ 10 V
- 1930 pF @ 50 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 75V 16A/80A TO220-3
Инвентаризация: 5082
MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT
Инвентаризация: 10986
MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK
Инвентаризация: 10523
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 1575
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Инвентаризация: 6763
